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FII40-06D
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FII40-06D技术资料
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FII40-06D
晶体管 - IGBT - 阵列
制造厂商:
IXYS
功能简述:
IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
原厂封装:
i4-Pac?-5
优势价格,FII40-06D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FII40-06D的技术资料下载
FII40-06D的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:FII40-06D
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
系列:晶体管 - IGBT - 阵列
零件状态:停产
IGBT类型:NPT
配置:半桥
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):40A
功率-最大值:125W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A
电流-集电极截止(最大值):600μA
不同?Vce时输入电容(Cies):1.6nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:i4-Pac?-5
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