PolarP3功率MOSFET系列是IXYS基准高性能Polar系列功率MOSFET产品线的最新成员。这些全新器件均使用IXYS专有的PolarP3耡术平台制造，进而推出了低导通电阻(Rdson)和栅极电荷(Qg)经过优化组合的各种全新和改进型器件。因此，这些器件实现了低至9.6ΩnC的品质因数(FOM)性能指标（器件导通电阻乘以栅极电荷）。器件的其它特性包括低热组(RthJC)、动态dV/dt级别、高功率耗散(Pd)、高雪崩能量功能。器件的这些出色的电气和热特性是在当今高电压转换系统中实现更高功率效率、高可靠性的必要条件。

极具特色的PolarP3系列提供500V和600V两个电压等级选择。500VPolarP3校件的额定漏电流为60A至132A（Tc=25C时的Id）；600VPolarP3校件的额定漏电流为22A至110A（Tc=25C时的Id）。这些器件具有低导通电阻（仅39mΩ），并同时保持了低栅极电荷（低至38nC）。低导通损耗加上低开关损耗，显著减少了器件总体功耗。相比前几代Polar系列产品(PolarP2HiPerFET)，这些新型PolarP3HiPerFET的导通电阻(Rdson)减少12%、栅极电荷(Qg)减小14%、最大功率耗散(Pd)提升达20%。由于芯片厚度减小提升了总功率密度，因此热阻更小。

特性

低Rds(on)

动态dV/dt额定值

高功率耗散(Pd)

栅极驱动器功率要求低

封装电感低

应用

开关模式电源

不间断电源

激光驱动器

AC和DC电机驱动器

机器人和伺服控制