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IXDN75N120
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IXDN75N120技术资料
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IXDN75N120
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
IXYS
功能简述:
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
原厂封装:
SOT-227-4,miniBLOC
优势价格,IXDN75N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXDN75N120的技术资料下载
IXDN75N120的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXDN75N120
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:有源
IGBT类型:NPT
配置:单路
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):150A
功率-最大值:660W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,75A
电流-集电极截止(最大值):4mA
不同?Vce时输入电容(Cies):5.5nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SOT-227-4,miniBLOC
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