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IXDR30N120D1的图片

IXDR30N120D1

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：IXYS

功能简述：IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

原厂封装：ISOPLUS247?

优势价格，IXDR30N120D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXDR30N120D1的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供

制造商产品型号：IXDR30N120D1

制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）

描述：IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：NPT

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：50A

电流-集电极脉冲(Icm)：60A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，30A

功率-最大值：200W

开关能量：4.6mJ（开），3.4mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：120nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：600V，30A，47 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：40ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：ISOPLUS247?

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