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    IXFA3N120TRL的图片

    IXFA3N120TRL

    IXYS图标
    FET - 单
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
    原厂封装：TO-263-3，D2Pak
    优势价格，IXFA3N120TRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXFA3N120TRL的技术资料下载
    电话询问价格
    IXFA3N120TRL的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • IXYS公司完整型号: IXFA3N120TRL
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列: HiPerFET?
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 200W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
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