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IXFA5N100P
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IXFA5N100P技术资料
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IXFA5N100P
单端场效应管
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
原厂封装：
TO-263
优势价格，IXFA5N100P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFA5N100P的技术资料下载
IXFA5N100P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXFA5N100P
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
系列：HiPerFET， PolarP2
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.8 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1830pF @ 25V
功率 - 最大值：250W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263 （IXFA）
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