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IXFB82N60Q3的图片

IXFB82N60Q3

单端场效应管

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

原厂封装：PLUS264

优势价格，IXFB82N60Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXFB82N60Q3的功能参数资料 - IXYS公司提供

IXYS公司产品完整型号：IXFB82N60Q3

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：82A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 41A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：275nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13500pF @ 25V

功率 - 最大值：1560W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA

供应商器件封装：PLUS264

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