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IXFC60N20
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IXFC60N20技术资料
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IXFC60N20
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
原厂封装:
ISOPLUS220
优势价格,IXFC60N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFC60N20的技术资料下载
IXFC60N20的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXFC60N20
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HiPerFET
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200V
25°C时电流-连续漏极(Id):60A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):33 毫欧 @ 30A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 4mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):155nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):230W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:ISOPLUS220
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