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IXFN120N20
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IXFN120N20技术资料
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IXFN120N20
场效应管模块
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
原厂封装:
SOT-227B
优势价格,IXFN120N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN120N20的技术资料下载
IXFN120N20的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
IXYS公司完整型号:IXFN120N20
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
系列:HiPerFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):17 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9100pF @ 25V
功率 - 最大值:600W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
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