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IXFN200N07
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IXFN200N07价格
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IXFN200N07技术资料
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IXFN200N07
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
原厂封装:
SOT-227B
优势价格,IXFN200N07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN200N07的技术资料下载
IXFN200N07的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXFN200N07
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HiPerFET?
零件状态:不適用於新設計
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):70V
25°C时电流-连续漏极(Id):200A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 500mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):480nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9000pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):520W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SOT-227B
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