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IXFN24N100F
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IXFN24N100F技术资料
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IXFN24N100F
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
原厂封装：
SOT-227B
优势价格，IXFN24N100F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN24N100F的技术资料下载
IXFN24N100F的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXFN24N100F
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：HiPerRF?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：1000V
25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：390 毫欧 @ 12A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 8mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：195nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6600pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：600W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
器件封装：SOT-227B
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