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IXFN360N10T
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IXFN360N10T技术资料
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IXFN360N10T
场效应管模块
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
原厂封装:
SOT-227B
优势价格,IXFN360N10T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN360N10T的技术资料下载
IXFN360N10T的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXFN360N10T
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
系列:HiPerFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):360A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 180A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):505nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):36000pF @ 25V
功率 - 最大值:830W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
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