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IXFN36N100
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IXFN36N100技术资料
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IXFN36N100
场效应管模块
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
原厂封装：
SOT-227B
优势价格，IXFN36N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN36N100的技术资料下载
IXFN36N100的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
IXYS公司完整型号：IXFN36N100
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
系列：HiPerFET?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：36A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：380nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9200pF @ 25V
功率 - 最大值：700W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B
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