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IXYS
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IXFN36N100的图片

IXFN36N100

IXYS图标
场效应管模块
制造厂商：IXYS
功能简述：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
原厂封装：SOT-227B
优势价格，IXFN36N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXFN36N100的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • IXYS公司完整型号：IXFN36N100
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
  • 系列：HiPerFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：36A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：380nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：700W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227B
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