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IXFN38N100Q2

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场效应管模块
制造厂商:IXYS
功能简述:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
原厂封装:SOT-227B
优势价格,IXFN38N100Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXFN38N100Q2的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号:IXFN38N100Q2
  • 制造厂家名称:IXYS
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):38A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):250 毫欧 @ 19A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:890W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:SOT-227B
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