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IXFN50N120SIC
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IXFN50N120SIC价格
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IXFN50N120SIC技术资料
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IXFN50N120SIC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS
功能简述:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
原厂封装:
SOT-227B
优势价格,IXFN50N120SIC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN50N120SIC的技术资料下载
IXFN50N120SIC的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXFN50N120SIC
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C时电流-连续漏极(Id):47A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 40A,20V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 2mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):100nC @ 20V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 1000V
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SOT-227B
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