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IXFT15N100Q
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IXFT15N100Q技术资料
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IXFT15N100Q
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
原厂封装:
TO-268
优势价格,IXFT15N100Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFT15N100Q的技术资料下载
IXFT15N100Q的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXFT15N100Q
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
系列:HiPerFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):700 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4500pF @ 25V
功率 - 最大值:360W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商器件封装:TO-268
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