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IXGH28N60B3D1
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IXGH28N60B3D1价格
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IXGH28N60B3D1技术资料
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IXGH28N60B3D1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
IGBT 600V 66A 190W TO247AD
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，IXGH28N60B3D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXGH28N60B3D1的技术资料下载
IXGH28N60B3D1的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXGH28N60B3D1
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：IGBT 600V 66A 190W TO247AD
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：PolarHV?
零件状态：有源
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：66A
电流-集电极脉冲(Icm)：150A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，24A
功率-最大值：190W
开关能量：340μJ（开），650μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：62nC
25°C时Td（开/关）值：19ns/125ns
测试条件：400V，24A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：25ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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