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IXGH85N30C3
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IXGH85N30C3技术资料
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IXGH85N30C3
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
IGBT 300V 75A 333W TO247AD
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，IXGH85N30C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXGH85N30C3的技术资料下载
IXGH85N30C3的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXGH85N30C3
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：IGBT 300V 75A 333W TO247AD
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：GenX3?
零件状态：有源
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：300V
电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
电流-集电极脉冲(Icm)：420A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，85A
功率-最大值：333W
开关能量：200μJ（开），390μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：136nC
25°C时Td（开/关）值：25ns/100ns
测试条件：200V，42.5A，3.3 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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