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IXGM20N60
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IXGM20N60技术资料
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IXGM20N60
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
IXYS
功能简述:
POWER MOSFET TO-3
原厂封装:
TO-204AE
优势价格,IXGM20N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXGM20N60的技术资料下载
IXGM20N60的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXGM20N60
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:POWER MOSFET TO-3
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):40A
电流-集电极脉冲(Icm):80A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A
功率-最大值:150W
开关能量:2mJ(开),3.2mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:120nC
25°C时Td(开/关)值:100ns/600ns
测试条件:480V,20A,82 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):200ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-204AE
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