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IXGP2N100
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IXGP2N100技术资料
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IXGP2N100
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
IXYS
功能简述:
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,IXGP2N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXGP2N100的技术资料下载
IXGP2N100的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXGP2N100
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):1000V
电流-集电极(Ic)(最大值):4A
电流-集电极脉冲(Icm):8A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,2A
功率-最大值:25W
开关能量:560μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:7.8nC
25°C时Td(开/关)值:15ns/300ns
测试条件:800V,2A,150 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
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