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IXGQ90N33TCD1的图片

IXGQ90N33TCD1

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：IXYS

功能简述：IGBT 330V 90A 200W TO3P

原厂封装：TO-3P-3，SC-65-3

优势价格，IXGQ90N33TCD1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXGQ90N33TCD1的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供

制造商产品型号：IXGQ90N33TCD1

制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）

描述：IGBT 330V 90A 200W TO3P

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：沟道

电压-集射极击穿（最大值）：330V

电流-集电极(Ic)（最大值）：90A

电流-集电极脉冲(Icm)：-

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，45A

功率-最大值：200W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：69nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-

安装类型：通孔

封装：TO-3P-3，SC-65-3

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