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IXGT32N90B2D1
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IXGT32N90B2D1价格
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IXGT32N90B2D1技术资料
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IXGT32N90B2D1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
IGBT 900V 64A 300W TO268
原厂封装：
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
优势价格，IXGT32N90B2D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXGT32N90B2D1的技术资料下载
IXGT32N90B2D1的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXGT32N90B2D1
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：IGBT 900V 64A 300W TO268
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：HiPerFAST?
零件状态：有源
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：900V
电流-集电极(Ic)（最大值）：64A
电流-集电极脉冲(Icm)：200A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，32A
功率-最大值：300W
开关能量：2.2mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：89nC
25°C时Td（开/关）值：20ns/260ns
测试条件：720V，32A，5 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：190ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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