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    IXSQ20N60B2D1的图片

    IXSQ20N60B2D1

    IXYS图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：IXYS
    功能简述：IGBT 600V 35A 190W TO3P
    原厂封装：TO-3P-3，SC-65-3
    优势价格，IXSQ20N60B2D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXSQ20N60B2D1的技术资料下载
    电话询问价格
    IXSQ20N60B2D1的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • 制造商产品型号：IXSQ20N60B2D1
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 600V 35A 190W TO3P
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，16A
  • 功率-最大值：190W
  • 开关能量：380μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：33nC
  • 25°C时Td（开/关）值：30ns/116ns
  • 测试条件：-
  • 反向恢复时间(trr)：30ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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