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IXST30N60C
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IXST30N60C技术资料
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IXST30N60C
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
IGBT 600V 55A 200W TO268
原厂封装：
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
优势价格，IXST30N60C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXST30N60C的技术资料下载
IXST30N60C的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXST30N60C
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：IGBT 600V 55A 200W TO268
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：55A
电流-集电极脉冲(Icm)：110A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，30A
功率-最大值：200W
开关能量：700μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：100nC
25°C时Td（开/关）值：30ns/90ns
测试条件：480V，30A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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