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    IXTA12N65X2

    IXYS图标
    FET - 单
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
    原厂封装：TO-263-3，D2Pak
    优势价格，IXTA12N65X2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXTA12N65X2的技术资料下载
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    IXTA12N65X2的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号: IXTA12N65X2
  • 制造厂家名称: IXYS
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 300 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 180W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型
  • 供应商器件封装: TO-263AA
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