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IXTA3N110

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单端场效应管
制造厂商:IXYS
功能简述:MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
原厂封装:TO-263
优势价格,IXTA3N110的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXTA3N110的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号:IXTA3N110
  • 制造厂家名称:IXYS
  • 描述:MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):1100V(1.1kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:200W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263 (IXTA)
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