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IXTA3N110
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IXTA3N110价格
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IXTA3N110技术资料
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IXTA3N110
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 1100V 3A TO263
原厂封装：
TO-263（IXTA）
优势价格，IXTA3N110的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTA3N110的技术资料下载
IXTA3N110的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXTA3N110
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：MOSFET N-CH 1100V 3A TO263
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：1100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 欧姆 @ 1.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：TO-263（IXTA）
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