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    IXTA6N100D2HV的图片

    IXTA6N100D2HV

    IXYS图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
    原厂封装：TO-263HV
    优势价格，IXTA6N100D2HV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXTA6N100D2HV的技术资料下载
    电话询问价格
    IXTA6N100D2HV的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • 制造商产品型号：IXTA6N100D2HV
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1000V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tj）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，0V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：95nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2650pF @ 10V
  • FET功能：耗尽模式
  • 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263HV
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