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IXTA8N65X2

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FET - 单
制造厂商:IXYS
功能简述:MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
原厂封装:TO-263-3,D2Pak
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IXTA8N65X2的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号: IXTA8N65X2
  • 制造厂家名称: IXYS
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 650V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 500 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 800pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 150W
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
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