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IXTA8N65X2
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IXTA8N65X2技术资料
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IXTA8N65X2
FET - 单
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
原厂封装:
TO-263-3,D2Pak
优势价格,IXTA8N65X2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTA8N65X2的技术资料下载
IXTA8N65X2的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号: IXTA8N65X2
制造厂家名称: IXYS
功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 500 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 800pF @ 25V
功率 - 最大值: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263
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