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IXTB30N100L
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IXTB30N100L价格
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IXTB30N100L技术资料
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IXTB30N100L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
原厂封装:
PLUS264?
优势价格,IXTB30N100L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTB30N100L的技术资料下载
IXTB30N100L的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXTB30N100L
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1000V
25°C时电流-连续漏极(Id):30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,20V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):545nC @ 20V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13200pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):800W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:PLUS264?
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