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IXTP1R4N120P的图片

IXTP1R4N120P

单端场效应管

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

原厂封装：TO-220AB

优势价格，IXTP1R4N120P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXTP1R4N120P的功能参数资料 - IXYS公司提供

IXYS公司产品完整型号：IXTP1R4N120P

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

系列：Polar?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：666pF @ 25V

功率 - 最大值：86W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

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