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    IXTP1R4N60P的图片

    IXTP1R4N60P

    IXYS图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
    原厂封装：TO-220AB
    优势价格，IXTP1R4N60P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXTP1R4N60P的技术资料下载
    电话询问价格
    IXTP1R4N60P的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • 制造商产品型号：IXTP1R4N60P
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：PolarHV?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.4A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 欧姆 @ 700mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 25μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220AB
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