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IXTP1R6N100D2

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单端场效应管
制造厂商:IXYS
功能简述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
原厂封装:TO-220AB
优势价格,IXTP1R6N100D2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXTP1R6N100D2的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号:IXTP1R6N100D2
  • 制造厂家名称:IXYS
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.6A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 欧姆 @ 800mA,0V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):645pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:100W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB
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