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IXTP1R6N50D2的图片

IXTP1R6N50D2

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB

原厂封装：TO-220AB

优势价格，IXTP1R6N50D2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXTP1R6N50D2的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供

制造商产品型号：IXTP1R6N50D2

制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）

描述：MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 欧姆 @ 800mA，0V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23.7nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：645pF @ 25V

FET功能：耗尽模式

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220AB

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