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IXTT2N300P3HV
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IXTT2N300P3HV价格
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IXTT2N300P3HV技术资料
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IXTT2N300P3HV
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
原厂封装:
TO-268
优势价格,IXTT2N300P3HV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTT2N300P3HV的技术资料下载
IXTT2N300P3HV的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXTT2N300P3HV
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):3000V
25°C时电流-连续漏极(Id):2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21 欧姆 @ 1A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):73nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1890pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):520W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-268
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