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IXTT50P10
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IXTT50P10技术资料
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IXTT50P10
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET P-CH 100V 50A TO268
原厂封装:
TO-268
优势价格,IXTT50P10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTT50P10的技术资料下载
IXTT50P10的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXTT50P10
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET P-CH 100V 50A TO268
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):55 毫欧 @ 25A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4350pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-268
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