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IXTY08N100D2-TRL
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IXTY08N100D2-TRL价格
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IXTY08N100D2-TRL技术资料
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IXTY08N100D2-TRL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
原厂封装:
TO-252
优势价格,IXTY08N100D2-TRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTY08N100D2-TRL的技术资料下载
IXTY08N100D2-TRL的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:IXTY08N100D2-TRL
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1000V
25°C时电流-连续漏极(Id):800mA(Tj)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):0V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21 欧姆 @ 400mA,0V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14.6nC @ 5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):325pF @ 25V
FET功能:耗尽模式
功率耗散(最大值):60W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-252
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