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IXXQ30N60B3M
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IXXQ30N60B3M价格
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IXXQ30N60B3M技术资料
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IXXQ30N60B3M
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
IGBT
原厂封装：
TO-3P-3 整包
优势价格，IXXQ30N60B3M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXXQ30N60B3M的技术资料下载
IXXQ30N60B3M的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXXQ30N60B3M
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：IGBT
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：XPT?, GenX3?
零件状态：有源
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：33A
电流-集电极脉冲(Icm)：140A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，24A
功率-最大值：90W
开关能量：550μJ（开），800μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：39nC
25°C时Td（开/关）值：23ns/150ns
测试条件：400V，24A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：36ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3 整包
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