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IXYP10N65C3D1M
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IXYP10N65C3D1M价格
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IXYP10N65C3D1M技术资料
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IXYP10N65C3D1M
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
IGBT
原厂封装：
TO-220-3 全封装，隔离接片
优势价格，IXYP10N65C3D1M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXYP10N65C3D1M的技术资料下载
IXYP10N65C3D1M的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXYP10N65C3D1M
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：IGBT
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：XPT?, GenX3?
零件状态：有源
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：15A
电流-集电极脉冲(Icm)：50A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，10A
功率-最大值：53W
开关能量：240μJ（开），170μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：18nC
25°C时Td（开/关）值：20ns/77ns
测试条件：400V，10A，50 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：26ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
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