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IXYQ30N65B3D1
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IXYQ30N65B3D1价格
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IXYQ30N65B3D1技术资料
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IXYQ30N65B3D1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
原厂封装：
TO-3P-3，SC-65-3
优势价格，IXYQ30N65B3D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXYQ30N65B3D1的技术资料下载
IXYQ30N65B3D1的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号：IXYQ30N65B3D1
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
描述：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：GenX3?, XPT?
零件状态：有源
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：70A
电流-集电极脉冲(Icm)：160A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
功率-最大值：270W
开关能量：830μJ（开），640μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：45nC
25°C时Td（开/关）值：17ns/87ns
测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：38ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
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