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IXDR30N120D1
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXDR30N120D1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
原厂封装:
封装:ISOPLUS247
优势价格,IXDR30N120D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXDR30N120D1的技术资料下载
IXDR30N120D1的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
制造商产品型号:IXDR30N120D1
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:NPT
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):50A
电流-集电极脉冲(Icm):60A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,30A
功率-最大值:200W
开关能量:4.6mJ(开),3.4mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:120nC
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:600V,30A,47 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):40ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:ISOPLUS247
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