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IXFA3N120TRL
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXFA3N120TRL
FET - 单
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
原厂封装:
TO-263-3,DPak
优势价格,IXFA3N120TRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFA3N120TRL的技术资料下载
IXFA3N120TRL的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
IXYS公司完整型号: IXFA3N120TRL
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
系列: HiPerFET
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 4.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1050pF @ 25V
功率 - 最大值: 200W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263
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