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IXFN30N120SK

IXYS图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：IXYS（Littelfuse力特）
功能简述：SIC AND MULTICHIP DISCRETE
原厂封装：封装:SOT-227B
优势价格，IXFN30N120SK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXFN30N120SK的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
  • 型号:IXFN30N120SK
  • 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
  • 封装:SOT-227B
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC AND MULTICHIP DISCRETE
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:6.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:310 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:19000 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:890W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 供应商器件封装:SOT-227B
  • 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
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