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IXFN80N60P3
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXFN80N60P3
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
原厂封装:
封装:SOT-227B
优势价格,IXFN80N60P3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN80N60P3的技术资料下载
IXFN80N60P3的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
型号:IXFN80N60P3
品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
封装:SOT-227B
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):190 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):13100 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):960W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SOT-227B
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
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