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IXFP8N65X2M
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXFP8N65X2M
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
原厂封装:
器件封装:TO-220 隔离的标片
优势价格,IXFP8N65X2M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFP8N65X2M的技术资料下载
IXFP8N65X2M的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
制造商产品型号:IXFP8N65X2M
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HiPerFET
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 4A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):790pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):150W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220 隔离的标片
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