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IXFT9N80Q

IXYS图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：IXYS（Littelfuse力特）
功能简述：MOSFET N-CH 800V 9A TO268
原厂封装：器件封装：TO-268
优势价格，IXFT9N80Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXFT9N80Q的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
  • 制造商产品型号：IXFT9N80Q
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 9A TO268
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HiPerFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.1 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：56nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：180W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-268
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