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| IXGQ35N120BD1的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
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IXGQ35N120BD1

IXYS图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：IXYS（Littelfuse力特）
功能简述：IGBT 1200V 75A 400W TO3P
原厂封装：封装：TO-3P-3，SC-65-3
优势价格，IXGQ35N120BD1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXGQ35N120BD1的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
  • 制造商产品型号：IXGQ35N120BD1
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1200V 75A 400W TO3P
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.3V @ 15V，35A
  • 功率-最大值：400W
  • 开关能量：900J（开），3.8mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：140nC
  • 25°C时Td（开/关）值：40ns/270ns
  • 测试条件：960V，35A，3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：40ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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