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IXGT30N60C2D1
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXGT30N60C2D1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
IGBT 600V 70A 190W TO268
原厂封装:
封装:TO-268-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-268AA
优势价格,IXGT30N60C2D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXGT30N60C2D1的技术资料下载
IXGT30N60C2D1的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
制造商产品型号:IXGT30N60C2D1
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT 600V 70A 190W TO268
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:HiPerFAST
零件状态:停产
IGBT类型:PT
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):70A
电流-集电极脉冲(Icm):150A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,24A
功率-最大值:190W
开关能量:190J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:70nC
25°C时Td(开/关)值:13ns/70ns
测试条件:400V,24A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):25ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-268-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-268AA
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