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IXSH65N120L2KHV
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXSH65N120L2KHV
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
原厂封装:
封装:TO-247-4L
优势价格,IXSH65N120L2KHV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXSH65N120L2KHV的技术资料下载
IXSH65N120L2KHV的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
型号:IXSH65N120L2KHV
品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
封装:TO-247-4L
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):52 毫欧 @ 20A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 9mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):110 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2160 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):375W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4L
封装/外壳:TO-247-4
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