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IXSJ25N120R1
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXSJ25N120R1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
原厂封装:
封装:ISO247-3L
优势价格,IXSJ25N120R1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXSJ25N120R1的技术资料下载
IXSJ25N120R1的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
型号:IXSJ25N120R1
品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
封装:ISO247-3L
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):81 毫欧 @ 12A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.8V @ 5.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):52 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+21V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1435 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):75.3W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:ISO247-3L
封装/外壳:TO-247-3
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