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| IXSJ43N120R1K的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
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IXSJ43N120R1K

IXYS图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：IXYS（Littelfuse力特）
功能简述：1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
原厂封装：封装:ISO247-4L
优势价格，IXSJ43N120R1K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXSJ43N120R1K的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
  • 型号:IXSJ43N120R1K
  • 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
  • 封装:ISO247-4L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 20A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 11.1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+21V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:143.7W（Tc）
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:ISO247-4L
  • 封装/外壳:TO-247-4
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